英諾賽科作為全球8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)先鋒，截至2024年6月30日，月產(chǎn)能達(dá)12，500片，為自主創(chuàng)新與新品試煉筑牢根基。超700項(xiàng)專利及申請(qǐng)涵蓋芯片多領(lǐng)域，制造賦能研發(fā)，研發(fā)反哺制造，芯片成本、交付、工藝迭代全面優(yōu)化，產(chǎn)品競(jìng)爭力超群。

　　公司成本管控卓有成效，直擊客戶痛點(diǎn)開發(fā)產(chǎn)品，精細(xì)打磨制造工藝，整合供應(yīng)鏈壓低成本。8英寸硅基氮化鎵晶圓良率超95%，單位晶圓晶粒產(chǎn)出飆升80%、芯片成本大降30%，產(chǎn)能利用率達(dá)72.8%，運(yùn)營高效。

　　依托中國完備供應(yīng)鏈，英諾賽科在制造自主、人才匯聚上領(lǐng)先一步，與眾多消費(fèi)電子品牌緊密合作，新品開發(fā)、出貨一馬當(dāng)先，又將觸角伸向數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等前沿，供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)盡顯。前瞻布局應(yīng)用生態(tài)。公司成立以來，一直致力于建設(shè)廣泛的氮化鎵應(yīng)用生態(tài)，不斷推出創(chuàng)新產(chǎn)品。

　　以最新推出的100V半橋氮化鎵功率芯片ISG3201為例，適用于48V功率系統(tǒng)、電動(dòng)工具等高頻高功率場(chǎng)景。VGaN系列產(chǎn)品INN040W048A屬于全球首款雙向?qū)�通氮化鎵器件，能夠�?yīng)用于智能手機(jī)USB/無線充電端口。

　　當(dāng)下，AI、電動(dòng)汽車、機(jī)器人蓬勃興起，氮化鎵憑高頻、高能效優(yōu)勢(shì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角。弗若斯特沙利文預(yù)測(cè)2023-2028年全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模飆升，復(fù)合增長率達(dá)98.5%，中國“十四五”規(guī)劃亦大力扶持。英諾賽科站在時(shí)代潮頭，破解IDM“重資產(chǎn)困境”，以“全供應(yīng)鏈+研發(fā)制造協(xié)同+全應(yīng)用生態(tài)”全新矩陣，改寫盈利速度，重塑全球功率半導(dǎo)體競(jìng)爭格局，奏響行業(yè)發(fā)展最強(qiáng)音。

　　未來，在AI服務(wù)器、機(jī)器人和EV等新興技術(shù)蓬勃興起的大背景下，英諾賽科不僅為行業(yè)樹立了如何在保證性能的同時(shí)降低成本的標(biāo)桿，更為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)彎道超車提供了范例，其未來發(fā)展值得全球矚目。